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APT20DC120HJ
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APT20DC120HJ Especificaciones técnicas
RECT BRIDGE 20A 1200V SOT227
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores de Puente |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1200V |
Technology | Silicon Carbide Schottky |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Diode Type | Single Phase |
Current - Average Rectified (Io) | 20A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 20A |
Supplier Device Package | SOT-227 |
Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
Mounting Type | Chassis Mount |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 400µA @ 1200V |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "APT20" partes
Las siguientes partes incluyen 'APT20'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
APT200GH60J | APT | Módulos IGBT | 2715 |
APT200GN60B2G | Microsemi | Transistores - IGBTs - Individual | 2794 |
APT200GN60B2G | Microsemi Corporation | IGBTs individuales | |
APT200GN60J | Microsemi | Transistores - IGBTs - Módulos | 2936 |
APT200GN60J | Microsemi Corporation | Módulos IGBT | |
APT200GN60JDQ4 | Microsemi | Transistores - IGBTs - Módulos | 1431 |
APT200GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | Módulos IGBT | |
APT200GN60JDQ4G | Microsemi | Transistores - IGBTs - Módulos | 2697 |
APT200GN60JDQ4G | Microsemi Corporation | Módulos IGBT | |
APT200GN60JG | Microsemi | Transistores - IGBTs - Módulos | 2632 |
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