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ALD1110EPAL
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ALD1110EPAL Especificaciones técnicas
MOSFET 2N-CH 10V 8DIP
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices |
Manufacturer | Advanced Linear Devices, Inc. |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.01V @ 1µA |
Series | EPAD® |
Power - Max | 600mW |
Package / Case | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
FET Feature | Standard |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | 8-PDIP |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 Ohm @ 5V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | 0°C ~ 70°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2.5pF @ 5V |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 10V |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "ALD11" partes
Las siguientes partes incluyen 'ALD11'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
ALD1101APAL | Advanced Linear Devices, Inc. | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2523 |
ALD1101APAL | Advanced Linear Devices Inc. | Matrices de transistores MOSFETs | |
ALD1101ASAL | Advanced Linear Devices, Inc. | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2733 |
ALD1101ASAL | Advanced Linear Devices Inc. | Matrices de transistores MOSFETs | |
ALD1101BPAL | Advanced Linear Devices, Inc. | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2716 |
ALD1101BPAL | Advanced Linear Devices Inc. | Matrices de transistores MOSFETs | |
ALD1101BSAL | Advanced Linear Devices, Inc. | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2781 |
ALD1101BSAL | Advanced Linear Devices Inc. | Matrices de transistores MOSFETs | |
ALD1101PAL | Advanced Linear Devices, Inc. | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2576 |
ALD1101PAL | Advanced Linear Devices Inc. | Matrices de transistores MOSFETs |
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