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ALD1101PAL Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Advanced Linear Devices, Inc.
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 10µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75 Ohm @ 5V
Packaging Tube
Operating Temperature 0°C ~ 70°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Drain to Source Voltage (Vdss) 10.6V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-PDIP
Power - Max 500mW
Package / Case 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C -
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Las siguientes partes incluyen  'ALD11' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
ALD1101APAL Advanced Linear Devices, Inc. Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2523
ALD1101APAL Advanced Linear Devices Inc. Matrices de transistores MOSFETs
ALD1101ASAL Advanced Linear Devices, Inc. Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2733
ALD1101ASAL Advanced Linear Devices Inc. Matrices de transistores MOSFETs
ALD1101BPAL Advanced Linear Devices, Inc. Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2716
ALD1101BPAL Advanced Linear Devices Inc. Matrices de transistores MOSFETs
ALD1101BSAL Advanced Linear Devices, Inc. Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2781
ALD1101BSAL Advanced Linear Devices Inc. Matrices de transistores MOSFETs
ALD1101PAL Advanced Linear Devices Inc. Matrices de transistores MOSFETs
ALD1101SAL Advanced Linear Devices, Inc. Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2705

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