A2T09D400-23NR6 Especificaciones técnicas

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Manufacturer NXP Semiconductors / Freescale
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Test 28V
Transistor Type LDMOS
Power - Output 400W
Other Names 935318726528
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Frequency 716MHz ~ 960MHz
Current Rating 10µA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Rated 70V
Supplier Device Package OM-1230-4L2S
Package / Case OM-1230-4L2S
Noise Figure -
Gain 17.8dB
Detailed Description RF Mosfet LDMOS 28V 1.2A 716MHz ~ 960MHz 17.8dB 400W OM-1230-4L2S
Current - Test 1.2A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
A2T09D400-23NR6 NXP USA Inc. Transistores MOSFET RF
A2T09VD250N FREESCA CIs Calientes Especializados 754
A2T09VD250NR1 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - FETs, MOSFETs - RF 2519
A2T09VD250NR1 NXP USA Inc. Transistores MOSFET RF
A2T09VD300N NXP Semiconductors / Freescale CIs Calientes Especializados 190
A2T09VD300NR1 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - FETs, MOSFETs - RF 2694
A2T09VD300NR1 NXP USA Inc. Transistores MOSFET RF

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