2N6491 PBFREE Especificaciones técnicas

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Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales
Manufacturer Central Semiconductor Corp
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 24 Weeks
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Bulk
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Position SINGLE
Number of Elements 1
Case Connection COLLECTOR
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type PNP
JEDEC-95 Code TO-220AB
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Transition Frequency 5MHz
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature -65°C~150°C TJ
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Configuration SINGLE
Power - Max 75W
Polarity/Channel Type PNP
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 25 @ 1A 4V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3.5V @ 5A, 15A
Current - Collector (Ic) (Max) 15A
Frequency - Transition 5MHz
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
2N6490 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2764
2N6490 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
2N6490G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 1104
2N6490G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
2N6491 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2666
2N6491 Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 10374
2N6491 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
2N6491G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2687
2N6491G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
2N6491G/2N6488G ON CIs Calientes Especializados 740

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