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2N6490
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2N6490 Especificaciones técnicas
TRANS PNP 60V 15A TO-220AB
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Transistor Type | PNP |
Power - Max | 1.8W |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5A, 4V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 15A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3.5V @ 5A, 15A |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 5MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
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Las siguientes partes incluyen '2N649'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
2N6490 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
2N6490G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 1104 |
2N6490G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
2N6491 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2666 |
2N6491 | Central Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 10374 |
2N6491 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
2N6491 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Transistores BJT individuales | |
2N6491G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2687 |
2N6491G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
2N6491G/2N6488G | ON | CIs Calientes Especializados | 740 |
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