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2N5582 Especificaciones técnicas

TRANS NPN 50V 0.8A TO-46

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN
Power - Max 500mW
Package / Case TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 800mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA
Supplier Device Package TO-46-3
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 200°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
2N5581 Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2593
2N5582 Microsemi Corporation Transistores BJT individuales
2N5583 Original CIs Calientes Especializados 1326
2N5589 MOTOROLA CIs Calientes Especializados 1200

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