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2N4953 Especificaciones técnicas

TRANS NPN 30V 1A TO-92

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Transistor Type NPN
Power - Max 625mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 1A 625mW Through Hole TO-92-3
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
Base Part Number 2N4953
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 15mA, 150mA
Supplier Device Package TO-92-3
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 150mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
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Otros incluyen   "2N495"   partes

Las siguientes partes incluyen  '2N495' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
2N4951 HGF CIs Calientes Especializados 50000
2N4952 HGF CIs Calientes Especializados 50000
2N4953 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 50000
2N4953 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
2N4953_D26Z Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2628
2N4953_D26Z AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2681
2N4957 Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2621
2N4957 Microsemi Corporation Transistores BJT RF
2N4957UB Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2510
2N4957UB Microsemi Corporation Transistores BJT RF

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