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2N3250A Especificaciones técnicas

TRANS PNP 60V 0.2A TO18

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transistor Type PNP
Power - Max 360mW
Package / Case TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 1V
Current - Collector (Ic) (Max) 200mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA
Supplier Device Package TO-39 (TO-205AD)
Packaging Bulk
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
2N3250 Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2708
2N3250 PBFREE Central Semiconductor Corp Transistores BJT individuales
2N3250A Microsemi Corporation Transistores BJT individuales
2N3251 S CIs Calientes Especializados 347
2N3251A Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2689
2N3251A AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 0
2N3251A Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2553
2N3251AUB Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2509
2N3253 Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 0

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