2N1131 Especificaciones técnicas

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Central Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP
Power - Max 2W
Package / Case TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Manufacturer Standard Lead Time 16 Weeks
Frequency - Transition 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 150mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 15mA, 150mA
Supplier Device Package TO-39
Packaging Bulk
Other Names 2N1131 PBFREE
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 600mA 50MHz 2W Through Hole TO-39
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
2N1131 MOTOROLA CIs Calientes Especializados 416
2N1131 PBFREE Central Semiconductor Corp Transistores BJT individuales
2N1131A Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2509
2N1131B Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 0
2N1132A MOT CIs Especializados 5456

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