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2225-4L Especificaciones técnicas

TRANS RF BIPO 10W 600MA 55LV1

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - RF
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Supplier Device Package 55LV
Packaging Bulk
Operating Temperature 200°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Frequency - Transition 2.2GHz ~ 2.5GHz
Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 10W
Package / Case 55LV
Noise Figure (dB Typ @ f) -
Gain 8.5dB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 200mA, 5V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
2225-4L Microsemi Corporation Transistores BJT RF

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