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1N5419E3
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1N5419E3 Especificaciones técnicas
DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 9A |
Supplier Device Package | - |
Reverse Recovery Time (trr) | 250ns |
Package / Case | B, Axial |
Mounting Type | Through Hole |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 1µA @ 500V |
Capacitance @ Vr, F | - |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 500V |
Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
Diode Type | Standard |
Current - Average Rectified (Io) | 3A |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "1N541" partes
Las siguientes partes incluyen '1N541'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
1N5415 | Microsemi | Diodos - Rectificadores - Individual | 2524 |
1N5415US | Microsemi | Diodos - Rectificadores - Individual | 2797 |
1N5416 | Microsemi | Diodos - Rectificadores - Individual | 2749 |
1N5416US | Microsemi | Diodos - Rectificadores - Individual | 2531 |
1N5417 | Microsemi | Diodos - Rectificadores - Individual | 2682 |
1N5417-E3/54 | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 1801 |
1N5417-TAP | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodos - Rectificadores - Individual | 6088 |
1N5417-TAP | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Diodos - Rectificadores - Individual | 6068 |
1N5417-TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | Rectificador de Diodo Monofásico | |
1N5417C.TR | Semtech | Diodos - Rectificadores - Individual | 2540 |
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