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1N5415US Especificaciones técnicas

DIODE GEN PURP 50V 3A D5B

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 9A
Supplier Device Package D-5B
Reverse Recovery Time (trr) 150ns
Package / Case E-MELF
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 1µA @ 50V
Capacitance @ Vr, F -
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 50V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 175°C
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 3A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
1N5415 Microsemi Diodos - Rectificadores - Individual 2524
1N5416 Microsemi Diodos - Rectificadores - Individual 2749
1N5416US Microsemi Diodos - Rectificadores - Individual 2531
1N5417 Microsemi Diodos - Rectificadores - Individual 2682
1N5417-E3/54 VISHAY CIs Calientes Especializados 1801
1N5417-TAP Electro-Films (EFI) / Vishay Diodos - Rectificadores - Individual 6088
1N5417-TAP Vishay / Semiconductor - Diodes Division Diodos - Rectificadores - Individual 6068
1N5417-TAP Vishay Semiconductor Diodes Division Rectificador de Diodo Monofásico
1N5417C.TR Semtech Diodos - Rectificadores - Individual 2540
1N5417TR Electro-Films (EFI) / Vishay Diodos - Rectificadores - Individual 2779

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