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1517-20M Especificaciones técnicas

TRANS RF BIPO 175W 3A 55LV1

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - RF
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 65V
Supplier Device Package 55LV-1
Packaging Bulk
Operating Temperature -
Mounting Type Chassis Mount
Frequency - Transition 1.48GHz ~ 1.65GHz
Current - Collector (Ic) (Max) 3A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 175W
Package / Case 55LV-1
Noise Figure (dB Typ @ f) -
Gain 7.6dB ~ 9.3dB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 500mA, 5V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
1517-110M Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2546
1517-110M Microsemi Corporation Transistores BJT RF
1517-20M Microsemi Corporation Transistores BJT RF
1517-25M ST CIs Calientes Especializados 12
1517-3/4ST Curtis Industries Bloques Terminales - Bloques de Barrera 2590
1517-ST Curtis Industries Bloques Terminales - Bloques de Barrera 2788
1517-Y Curtis Industries Bloques Terminales - Bloques de Barrera 2796
1517-YSY Curtis Industries Bloques Terminales - Bloques de Barrera 2631
1517-YWY Curtis Industries Bloques Terminales - Bloques de Barrera 2743

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