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1014-6A Especificaciones técnicas

TRANS RF BIPO 19W 1A 55LV1

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - RF
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Supplier Device Package 55LV
Packaging Bulk
Operating Temperature 200°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Frequency - Transition 1GHz ~ 1.4GHz
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 19W
Package / Case 55LV
Noise Figure (dB Typ @ f) -
Gain 7dB ~ 7.5dB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce -
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
1014-12 Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2767
1014-12 Microsemi Corporation Transistores BJT RF
1014-6A Microsemi Corporation Transistores BJT RF
1014-TAB1D434 Energy Micro (Silicon Labs) Kits de Evaluación y Desarrollo de RF, Placas 2631
1014-TAB1D434 Silicon Labs Placas RF
1014-TAB1D868 Energy Micro (Silicon Labs) Kits de Evaluación y Desarrollo de RF, Placas 2509
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