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MSC1450M Especificaciones técnicas

TRANS RF BIPO 910W 28A M216

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - RF
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 65V
Supplier Device Package M216
Packaging Bulk
Operating Temperature 250°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Frequency - Transition 1.09GHz
Current - Collector (Ic) (Max) 28A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 910W
Package / Case M216
Noise Figure (dB Typ @ f) -
Gain 7dB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 15 @ 1A, 5V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MSC1400M Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2635
MSC1400M Microsemi Corporation Transistores BJT RF
MSC140SMA120B Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2613
MSC1450A Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2571
MSC1450A Microsemi Corporation Transistores BJT RF
MSC1450M Microsemi Corporation Transistores BJT RF

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