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MSC1450A Especificaciones técnicas

RF POWER TRANSISTOR

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - RF
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 65V
Supplier Device Package M216
Package / Case M216
Noise Figure (dB Typ @ f) -
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 15 @ 1A, 5V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type -
Power - Max 910W
Operating Temperature 250°C
Mounting Type Chassis Mount
Gain 7dB
Detailed Description RF Transistor 65V 28A 910W Chassis Mount M216
Current - Collector (Ic) (Max) 28A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MSC1400M Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2635
MSC1400M Microsemi Corporation Transistores BJT RF
MSC140SMA120B Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2613
MSC1450A Microsemi Corporation Transistores BJT RF
MSC1450M Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2564
MSC1450M Microsemi Corporation Transistores BJT RF

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