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JANSR2N3700UB Especificaciones técnicas

RH SMALL-SIGNAL BJT

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Transistor Type NPN
Series Military, MIL-PRF-19500/391
Power - Max 500mW
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Manufacturer Standard Lead Time 33 Weeks
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 500mW Surface Mount UB
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Supplier Device Package UB
RoHS Status RoHS non-compliant
Package / Case 4-SMD, No Lead
Mounting Type Surface Mount
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 500mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
JANSR2N2221AUB Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2781
JANSR2N2222AUB Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 0
JANSR2N2222AUB Microsemi Corporation Transistores BJT individuales
JANSR2N2369AUB Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2788
JANSR2N2484UB Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2612
JANSR2N2907AUB Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2719
JANSR2N2907AUB Microsemi Corporation Transistores BJT individuales
JANSR2N2920U Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 2708
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