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APTM60H23FT1G Especificaciones técnicas

MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 276 mOhm @ 17A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5316pF @ 25V
FET Type 4 N-Channel (H-Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package SP1
Power - Max 208W
Package / Case SP1
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 165nC @ 10V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
APTM60A11FT1G Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2526
APTM60A11FT1G Microsemi Corporation Matrices de transistores MOSFETs
APTM60A23FT1G Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2790
APTM60A23FT1G Microsemi Corporation Matrices de transistores MOSFETs
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