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APTM60A23FT1G
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APTM60A23FT1G Especificaciones técnicas
MOSFET 2N-CH 600V 20A SP1
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 276 mOhm @ 17A, 10V |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5316pF @ 25V |
FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | SP1 |
Power - Max | 208W |
Package / Case | SP1 |
Mounting Type | Chassis Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 165nC @ 10V |
FET Feature | Standard |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A |
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Otros incluyen "APTM6" partes
Las siguientes partes incluyen 'APTM6'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
APTM60A11FT1G | Microsemi | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2526 |
APTM60A11FT1G | Microsemi Corporation | Matrices de transistores MOSFETs | |
APTM60A23FT1G | Microsemi Corporation | Matrices de transistores MOSFETs | |
APTM60H23FT1G | Microsemi | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2653 |
APTM60H23FT1G | Microsemi Corporation | Matrices de transistores MOSFETs |
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