APT80F60J Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package ISOTOP®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 60A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 23994pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series POWER MOS 8™
Power Dissipation (Max) 961W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 598nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 84A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
APT8011JFLL APT Módulos IGBT 2294
APT8011JLL APT Módulos IGBT 2854
APT8014JFLL APT Módulos IGBT 2888
APT8014JLL Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2881
APT8014L2FLL APT CIs Calientes Especializados 2739
APT8014L2FLLG APT CIs Calientes Especializados 2953
APT8014L2LL APT CIs Calientes Especializados 2948
APT8015JVFR APT Módulos IGBT 1381
APT8015JVR APT Módulos IGBT 1364
APT8018JN Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2975

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