APT8018JN Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 800V 40A ISOTOP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 5mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series POWER MOS IV®
Power Dissipation (Max) 690W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 700nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package ISOTOP®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tray
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 14000pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
APT8011JFLL APT Módulos IGBT 2294
APT8011JLL APT Módulos IGBT 2854
APT8014JFLL APT Módulos IGBT 2888
APT8014JLL Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2881
APT8014L2FLL APT CIs Calientes Especializados 2739
APT8014L2FLLG APT CIs Calientes Especializados 2953
APT8014L2LL APT CIs Calientes Especializados 2948
APT8015JVFR APT Módulos IGBT 1381
APT8015JVR APT Módulos IGBT 1364
APT8018JNFR APT Módulos IGBT 2984

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