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APT70SM70J Especificaciones técnicas

POWER MOSFET - SIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package SOT-227
Power Dissipation (Max) 165W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 125nC @ 20V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 49A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70 mOhm @ 32.5A, 20V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 700V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
APT70GR120B2 Microsemi Transistores - IGBTs - Individual 2685
APT70GR120B2 Microsemi Corporation IGBTs individuales
APT70GR120J Microsemi Transistores - IGBTs - Módulos 2504
APT70GR120J Microsemi Corporation Módulos IGBT
APT70GR120JD60 Microsemi Transistores - IGBTs - Módulos 2573
APT70GR120JD60 Microsemi Corporation Módulos IGBT
APT70GR120L Microsemi Transistores - IGBTs - Individual 2740
APT70GR120L Microsemi Corporation IGBTs individuales
APT70GR65B Microsemi Transistores - IGBTs - Individual 2533
APT70GR65B Microsemi Corporation IGBTs individuales

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