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APT70GR120L Especificaciones técnicas

IGBT 1200V 160A 961W TO264

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 600V, 70A, 4.3 Ohm, 15V
Switching Energy 3.82mJ (on), 2.58mJ (off)
Power - Max 961W
Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type Through Hole
IGBT Type NPT
Current - Collector Pulsed (Icm) 280A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 70A
Td (on/off) @ 25°C 33ns/278ns
Supplier Device Package TO-264
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 544nC
Current - Collector (Ic) (Max) 160A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
APT70GR120B2 Microsemi Transistores - IGBTs - Individual 2685
APT70GR120B2 Microsemi Corporation IGBTs individuales
APT70GR120J Microsemi Transistores - IGBTs - Módulos 2504
APT70GR120J Microsemi Corporation Módulos IGBT
APT70GR120JD60 Microsemi Transistores - IGBTs - Módulos 2573
APT70GR120JD60 Microsemi Corporation Módulos IGBT
APT70GR120L Microsemi Corporation IGBTs individuales
APT70GR65B Microsemi Transistores - IGBTs - Individual 2533
APT70GR65B Microsemi Corporation IGBTs individuales
APT70GR65B2DU40 Microsemi Transistores - IGBTs - Individual 2659

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