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APT20M45BVRG
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APT20M45BVRG Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 200V 56A TO-247
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Supplier Device Package | TO-247 [B] |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 500mA, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4860pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | POWER MOS V® |
Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 195nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 56A (Tc) |
APT20M45BVRG Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para APT20M45BVRG
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Hojas de datos
1.APT20M45BVRG.pdf 2.APT20M45BVRG.pdf
Otros incluyen "APT20" partes
Las siguientes partes incluyen 'APT20'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
APT200GH60J | APT | Módulos IGBT | 2715 |
APT200GN60B2G | Microsemi | Transistores - IGBTs - Individual | 2794 |
APT200GN60B2G | Microsemi Corporation | IGBTs individuales | |
APT200GN60J | Microsemi | Transistores - IGBTs - Módulos | 2936 |
APT200GN60J | Microsemi Corporation | Módulos IGBT | |
APT200GN60JDQ4 | Microsemi | Transistores - IGBTs - Módulos | 1431 |
APT200GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | Módulos IGBT | |
APT200GN60JDQ4G | Microsemi | Transistores - IGBTs - Módulos | 2697 |
APT200GN60JDQ4G | Microsemi Corporation | Módulos IGBT | |
APT200GN60JG | Microsemi | Transistores - IGBTs - Módulos | 2632 |
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