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APT20M38BVFRG Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 200V 67A TO-247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Supplier Device Package TO-247 [B]
Rds On (Max) @ Id, Vgs 38 mOhm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6120pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series POWER MOS V®
Power Dissipation (Max) 370W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 225nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 67A (Tc)
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Las siguientes partes incluyen  'APT20' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
APT200GH60J APT Módulos IGBT 2715
APT200GN60B2G Microsemi Transistores - IGBTs - Individual 2794
APT200GN60B2G Microsemi Corporation IGBTs individuales
APT200GN60J Microsemi Transistores - IGBTs - Módulos 2936
APT200GN60J Microsemi Corporation Módulos IGBT
APT200GN60JDQ4 Microsemi Transistores - IGBTs - Módulos 1431
APT200GN60JDQ4 Microsemi Corporation Módulos IGBT
APT200GN60JDQ4G Microsemi Transistores - IGBTs - Módulos 2697
APT200GN60JDQ4G Microsemi Corporation Módulos IGBT
APT200GN60JG Microsemi Transistores - IGBTs - Módulos 2632

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