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2N6766
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2N6766 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 200V TO-204AE TO-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-3 |
Power Dissipation (Max) | 4W (Ta), 150W (Tc) |
Package / Case | TO-204AE |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 115nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 30A, 10V |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
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Las siguientes partes incluyen '2N676'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
2N6760 | Microsemi | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2668 |
2N6760 | Microsemi Corporation | Transistores MOSFET individuales | |
2N6762 | Microsemi | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2727 |
2N6764 | Microsemi | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1428 |
2N6764T1 | Microsemi | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2667 |
2N6766T1 | Microsemi | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2561 |
2N6768 | Microsemi | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2726 |
2N6768T1 | Microsemi | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2558 |
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