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2N6762 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 500V TO-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-204AA
Power Dissipation (Max) 4W (Ta), 75W (Tc)
Package / Case TO-204AA, TO-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8 Ohm @ 4.5A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
2N6760 Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2668
2N6760 Microsemi Corporation Transistores MOSFET individuales
2N6764 Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1428
2N6764T1 Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2667
2N6766 Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1368
2N6766T1 Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2561
2N6768 Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2726
2N6768T1 Microsemi Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2558

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