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RP1E090XNTCR Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 9A MPT6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package MPT6
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Package / Case 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.8nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 9A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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Otros incluyen   "RP1E0"   partes

Las siguientes partes incluyen  'RP1E0' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RP1E050RP ROHM CIs Calientes Especializados 9415
RP1E050RP TR ROHM CIs Calientes Especializados 9707
RP1E050RP TR MOS LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 3409
RP1E050RPTR LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2502
RP1E070XNFPFTCR ROHM CIs Calientes Especializados 7584
RP1E070XNTCR LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2605
RP1E075RPTR LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2540
RP1E090RP ROHM CIs Calientes Especializados 4678
RP1E090RPFX3TR ROHM CIs Calientes Especializados 3000
RP1E090RPTR LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 865

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