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RP1E090XNTCR
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RP1E090XNTCR Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 30V 9A MPT6
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Supplier Device Package | MPT6 |
Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8nC @ 5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 9A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 10V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "RP1E0" partes
Las siguientes partes incluyen 'RP1E0'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
RP1E050RP | ROHM | CIs Calientes Especializados | 9415 |
RP1E050RP TR | ROHM | CIs Calientes Especializados | 9707 |
RP1E050RP TR MOS | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 3409 |
RP1E050RPTR | LAPIS Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2502 |
RP1E070XNFPFTCR | ROHM | CIs Calientes Especializados | 7584 |
RP1E070XNTCR | LAPIS Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2605 |
RP1E075RPTR | LAPIS Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2540 |
RP1E090RP | ROHM | CIs Calientes Especializados | 4678 |
RP1E090RPFX3TR | ROHM | CIs Calientes Especializados | 3000 |
RP1E090RPTR | LAPIS Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 865 |
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