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RP1E050RPTR Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 30V 5A MPT6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package MPT6
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Package / Case 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.2nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 5A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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Otros incluyen   "RP1E0"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RP1E050RP ROHM CIs Calientes Especializados 9415
RP1E050RP TR ROHM CIs Calientes Especializados 9707
RP1E050RP TR MOS LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 3409
RP1E070XNFPFTCR ROHM CIs Calientes Especializados 7584
RP1E070XNTCR LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2605
RP1E075RPTR LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2540
RP1E090RP ROHM CIs Calientes Especializados 4678
RP1E090RPFX3TR ROHM CIs Calientes Especializados 3000
RP1E090RPTR LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 865
RP1E090XNFPFTCR ROHM CIs Calientes Especializados 20377

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