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RFN3BM6STL Especificaciones técnicas

DIODE GEN PURP 600V 3A TO252

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.55V @ 3A
Supplier Device Package TO-252
Reverse Recovery Time (trr) 30ns
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 10µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F -
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction 150°C (Max)
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 3A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RFN3B2STL LAPIS Semiconductor Diodos - Rectificadores - Individual 2796
RFN3B6STL LAPIS Semiconductor Diodos - Rectificadores - Individual 2563
RFN3BGE6STL LAPIS Semiconductor Diodos - Rectificadores - Individual 2602
RFN3BM2SFHTL LAPIS Semiconductor Diodos - Rectificadores - Individual 2792
RFN3BM2SFHTL ROHM Semiconductor Rectificador de Diodo Monofásico
RFN3BM2STL LAPIS Semiconductor Diodos - Rectificadores - Individual 2824
RFN3BM6SFHTL LAPIS Semiconductor Diodos - Rectificadores - Individual 2544
RFN3BM6SFHTL ROHM Semiconductor Rectificador de Diodo Monofásico

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