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RFN3BGE6STL Especificaciones técnicas

SUPER FAST RECOVERY DIODE

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.55V @ 3A
Supplier Device Package TO-252GE
Reverse Recovery Time (trr) 30ns
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature - Junction 150°C (Max)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Diode Standard 600V 3A Surface Mount TO-252GE
Current - Average Rectified (Io) 3A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Packaging Original-Reel®
Other Names RFN3BGE6STLDKR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 10 Weeks
Diode Type Standard
Current - Reverse Leakage @ Vr 10µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F -
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Otros incluyen   "RFN3B"   partes

Las siguientes partes incluyen  'RFN3B' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RFN3B2STL LAPIS Semiconductor Diodos - Rectificadores - Individual 2796
RFN3B6STL LAPIS Semiconductor Diodos - Rectificadores - Individual 2563
RFN3BM2SFHTL LAPIS Semiconductor Diodos - Rectificadores - Individual 2792
RFN3BM2SFHTL ROHM Semiconductor Rectificador de Diodo Monofásico
RFN3BM2STL LAPIS Semiconductor Diodos - Rectificadores - Individual 2824
RFN3BM6SFHTL LAPIS Semiconductor Diodos - Rectificadores - Individual 2544
RFN3BM6SFHTL ROHM Semiconductor Rectificador de Diodo Monofásico
RFN3BM6STL LAPIS Semiconductor Diodos - Rectificadores - Individual 2742

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