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RF4E080GNTR Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.6 mOhm @ 8A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 295pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 6-HUML2020L8 (2x2)
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Package / Case 8-PowerUDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.8nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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Otros incluyen   "RF4E0"   partes

Las siguientes partes incluyen  'RF4E0' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RF4E070BN LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 19501
RF4E070BN TR ROHM CIs Calientes Especializados 2644
RF4E070BNTR LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2517
RF4E070GNTR LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2684
RF4E075AT ROHM CIs Calientes Especializados 2636
RF4E075AT TCR ROHM CIs Calientes Especializados 351
RF4E075ATTCR LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 120284
RF4E080BN ROHM CIs Calientes Especializados 3520
RF4E080BN TB ROHM CIs Calientes Especializados 1041
RF4E080BNTB LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 1787

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