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RF4E075ATTCR Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 30V 7.5A 8DFN

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21.7 mOhm @ 7.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 15V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.5A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 6-HUML2020L8 (2x2)
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Package / Case 8-PowerUDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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Otros incluyen   "RF4E0"   partes

Las siguientes partes incluyen  'RF4E0' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RF4E070BN LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 19501
RF4E070BN TR ROHM CIs Calientes Especializados 2644
RF4E070BNTR LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2517
RF4E070GNTR LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2684
RF4E075AT ROHM CIs Calientes Especializados 2636
RF4E075AT TCR ROHM CIs Calientes Especializados 351
RF4E080BN ROHM CIs Calientes Especializados 3520
RF4E080BN TB ROHM CIs Calientes Especializados 1041
RF4E080BNTB LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 1787
RF4E080BNTR LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 12470

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