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RF4E080BNTR
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RF4E080BNTR Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.6 mOhm @ 8A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 15V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | 6-HUML2020L8 (2x2) |
Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
Package / Case | 8-PowerUDFN |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
RF4E080BNTR Documentos
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Hojas de datos
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Otros incluyen "RF4E0" partes
Las siguientes partes incluyen 'RF4E0'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
RF4E070BN | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 19501 |
RF4E070BN TR | ROHM | CIs Calientes Especializados | 2644 |
RF4E070BNTR | LAPIS Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2517 |
RF4E070GNTR | LAPIS Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2684 |
RF4E075AT | ROHM | CIs Calientes Especializados | 2636 |
RF4E075AT TCR | ROHM | CIs Calientes Especializados | 351 |
RF4E075ATTCR | LAPIS Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 120284 |
RF4E080BN | ROHM | CIs Calientes Especializados | 3520 |
RF4E080BN TB | ROHM | CIs Calientes Especializados | 1041 |
RF4E080BNTB | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 1787 |
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