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RDD022N60TL
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RDD022N60TL Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 600V CPT
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.7V @ 1mA |
Supplier Device Package | CPT3 |
Power Dissipation (Max) | 20W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7 Ohm @ 1A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 175pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
RDD022N60TL Documentos
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Hojas de datos
RDD022N60TL.pdf
Otros incluyen "RDD02" partes
Las siguientes partes incluyen 'RDD02'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
RDD020N50 | VB | CIs Calientes Especializados | 1155 |
RDD020N50 TL | ROHM | CIs Calientes Especializados | 2650 |
RDD020N50TL | LAPIS Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 4988 |
RDD020N60 | VB | CIs Calientes Especializados | 10294 |
RDD020N60 TL | ROHM | CIs Calientes Especializados | 3000 |
RDD020N60TL | LAPIS Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5193 |
RDD022N50TL | LAPIS Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 7251 |
RDD022N50TL MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 5287 |
RDD022N60 | VB | CIs Calientes Especializados | 5000 |
RDD022N60 TL | ROHM | CIs Calientes Especializados | 10000 |
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