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RDD020N60TL Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 2A CPT3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id -
Supplier Device Package CPT3
Power Dissipation (Max) 20W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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Las siguientes partes incluyen  'RDD02' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RDD020N50 VB CIs Calientes Especializados 1155
RDD020N50 TL ROHM CIs Calientes Especializados 2650
RDD020N50TL LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4988
RDD020N60 VB CIs Calientes Especializados 10294
RDD020N60 TL ROHM CIs Calientes Especializados 3000
RDD022N50TL LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 7251
RDD022N50TL MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 5287
RDD022N60 VB CIs Calientes Especializados 5000
RDD022N60 TL ROHM CIs Calientes Especializados 10000
RDD022N60TL LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2646

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