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RBR2LAM30ATR
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RBR2LAM30ATR Especificaciones técnicas
DIODE SCHOTTKY 30V 2A PMDTM
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 490mV @ 2A |
Supplier Device Package | PMDTM |
Packaging | Original-Reel® |
Other Names | RBR2LAM30ADKR |
Mounting Type | Surface Mount |
Manufacturer Standard Lead Time | 20 Weeks |
Diode Type | Schottky |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 80µA @ 30V |
Capacitance @ Vr, F | - |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Package / Case | SOD-128 |
Operating Temperature - Junction | 150°C (Max) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Detailed Description | Diode Schottky 30V 2A Surface Mount PMDTM |
Current - Average Rectified (Io) | 2A |
RBR2LAM30ATR Documentos
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Hojas de datos
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Otros incluyen "RBR2L" partes
Las siguientes partes incluyen 'RBR2L'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
RBR2L30A | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 15000 |
RBR2L30ADD | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 15000 |
RBR2L30ATE25 | LAPIS Semiconductor | Diodos - Rectificadores - Individual | 2787 |
RBR2L40A | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 15000 |
RBR2L40ADD | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 31999 |
RBR2L40ATE25 | LAPIS Semiconductor | Diodos - Rectificadores - Individual | 2600 |
RBR2L60A | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 15000 |
RBR2L60ADD | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 15000 |
RBR2L60ATE25 | LAPIS Semiconductor | Diodos - Rectificadores - Individual | 2670 |
RBR2L60BDD | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 1873 |
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