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RBR2L30ATE25
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RBR2L30ATE25 Especificaciones técnicas
DIODE SCHOTTKY 30V 2A PMDS
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 490mV @ 2A |
Supplier Device Package | PMDS |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature - Junction | 150°C (Max) |
Diode Type | Schottky |
Current - Average Rectified (Io) | 2A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Package / Case | DO-214AC, SMA |
Mounting Type | Surface Mount |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 80µA @ 30V |
Capacitance @ Vr, F | - |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "RBR2L" partes
Las siguientes partes incluyen 'RBR2L'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
RBR2L30A | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 15000 |
RBR2L30ADD | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 15000 |
RBR2L40A | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 15000 |
RBR2L40ADD | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 31999 |
RBR2L40ATE25 | LAPIS Semiconductor | Diodos - Rectificadores - Individual | 2600 |
RBR2L60A | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 15000 |
RBR2L60ADD | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 15000 |
RBR2L60ATE25 | LAPIS Semiconductor | Diodos - Rectificadores - Individual | 2670 |
RBR2L60BDD | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 1873 |
RBR2L60BDD TE25 | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 1010 |
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