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DTA123JUBTL
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DTA123JUBTL Especificaciones técnicas
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3F
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 47k |
Power - Max | 200mW |
Package / Case | SC-85 |
Frequency - Transition | 250MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Supplier Device Package | UMT3F |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 2.2k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "DTA12" partes
Las siguientes partes incluyen 'DTA12'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
DTA123ECAT116 | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2553 |
DTA123ECAT116 | ROHM Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTA123EE | ROHM | CIs Calientes Especializados | 3432 |
DTA123EE TL | ROHM | CIs Calientes Especializados | 6010 |
DTA123EEBTL | ROHM Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTA123EEFRATL | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2598 |
DTA123EEFRATL | ROHM Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTA123EEFTL | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 1479 |
DTA123EET1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 598 |
DTA123EET1 | ON Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados |
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