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DTA123EKAT146 Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 2.2k
Power - Max 200mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device Package SMT3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Packaging Original-Reel®
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 20mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DTA123ECAT116 LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2553
DTA123ECAT116 ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTA123EE ROHM CIs Calientes Especializados 3432
DTA123EE TL ROHM CIs Calientes Especializados 6010
DTA123EEBTL ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTA123EEFRATL LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2598
DTA123EEFRATL ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTA123EEFTL LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 1479
DTA123EET1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 598
DTA123EET1 ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados

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