2SAR572D3TL1 Especificaciones técnicas

POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Transistor Type PNP
Power - Max 10W
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor PNP 30V 5A 300MHz 10W Surface Mount TO-252
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 100mA, 2A
Supplier Device Package TO-252
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names 2SAR572D3TL1CT
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 17 Weeks
Frequency - Transition 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 500mA, 3V
Current - Collector (Ic) (Max) 5A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
2SAR502EBTL LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2674
2SAR502EBTL ROHM Semiconductor Transistores BJT individuales
2SAR502U3HZGT106 ROHM Semiconductor Transistores BJT individuales
2SAR502U3T106 ROHM Semiconductor Transistores BJT individuales
2SAR502UBTL LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 541
2SAR502UBTL ROHM Semiconductor Transistores BJT individuales
2SAR512 LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 23930
2SAR512P ROHM CIs Calientes Especializados 1061
2SAR512P T100 ROHM CIs Calientes Especializados 2516
2SAR512P5 LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 2439

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