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2SAR502EBTL Especificaciones técnicas

TRANS PNP 30V 0.5A EMT3F

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Transistor Type PNP
Power - Max 150mW
Package / Case SC-89, SOT-490
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 10mA, 200mA
Supplier Device Package EMT3F (SOT-416FL)
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 520MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 200nA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
2SAR502EBTL ROHM Semiconductor Transistores BJT individuales
2SAR502U3HZGT106 ROHM Semiconductor Transistores BJT individuales
2SAR502U3T106 ROHM Semiconductor Transistores BJT individuales
2SAR502UBTL LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 541
2SAR502UBTL ROHM Semiconductor Transistores BJT individuales
2SAR512 LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 23930
2SAR512P ROHM CIs Calientes Especializados 1061
2SAR512P T100 ROHM CIs Calientes Especializados 2516
2SAR512P5 LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 2439
2SAR512P5 T100 LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 23800

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