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2SAR544P5T100
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2SAR544P5T100 Especificaciones técnicas
PNP -80V -2.5A MEDIUM POWER TRAN
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Transistor Type | PNP |
Power - Max | 500mW |
Package / Case | TO-243AA |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 100mA, 3V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 2.5A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 50mA, 1A |
Supplier Device Package | MPT3 |
Packaging | Original-Reel® |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 280MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
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Las siguientes partes incluyen '2SAR5'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
2SAR502EBTL | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2674 |
2SAR502EBTL | ROHM Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
2SAR502U3HZGT106 | ROHM Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
2SAR502U3T106 | ROHM Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
2SAR502UBTL | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 541 |
2SAR502UBTL | ROHM Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
2SAR512 | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 23930 |
2SAR512P | ROHM | CIs Calientes Especializados | 1061 |
2SAR512P T100 | ROHM | CIs Calientes Especializados | 2516 |
2SAR512P5 | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 2439 |
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