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2SAR542F3TR
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2SAR542F3TR Especificaciones técnicas
TRANS PNP 30V 3A HUML2020L3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Transistor Type | PNP |
Power - Max | 2.1W |
Package / Case | 3-UDFN, Exposed Pad |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 500mA, 2V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 50mA, 1A |
Supplier Device Package | HUML2020L3 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 240MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen '2SAR5'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
2SAR502EBTL | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2674 |
2SAR502EBTL | ROHM Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
2SAR502U3HZGT106 | ROHM Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
2SAR502U3T106 | ROHM Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
2SAR502UBTL | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 541 |
2SAR502UBTL | ROHM Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
2SAR512 | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 23930 |
2SAR512P | ROHM | CIs Calientes Especializados | 1061 |
2SAR512P T100 | ROHM | CIs Calientes Especializados | 2516 |
2SAR512P5 | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 2439 |
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