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IRLH5030TR2PBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 150µA
Supplier Device Package PQFN (5x6) Single Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 50A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5185pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Package / Case 8-PowerVDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 94nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Ta), 100A (Tc)
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Otros incluyen   "IRLH5"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRLH5' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRLH5030TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1151
IRLH5030TRPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRLH5030TRPBF MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 2251
IRLH5030TRPBF. IR CIs Calientes Especializados 4869
IRLH5034TR2PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9322
IRLH5034TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5205
IRLH5034TRPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRLH5034TRPBF MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 5385
IRLH5034TRPBF. IR CIs Calientes Especializados 2642
IRLH5036TR2PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5027

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