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IRLH5030TRPBF Especificaciones técnicas
IRLH5030TRPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 8 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2010 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
JESD-30 Code | R-PDSO-N5 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9m Ω @ 50A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5185pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 94nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 41 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 100A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 16V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 400A |
Nominal Vgs | 2.5 V |
Length | 6.1468mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 8-PowerVDFN |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | HEXFET® |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 5 |
Resistance | 9.9MOhm |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Position | DUAL |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 3.6W Ta 156W Tc |
Power Dissipation | 3.6W |
Turn On Delay Time | 21 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 150μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A Ta 100A Tc |
Rise Time | 72ns |
Vgs (Max) | ±16V |
Turn-Off Delay Time | 41 ns |
Threshold Voltage | 2.5V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 100V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 230 mJ |
Height | 990.6μm |
Width | 5.15mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
IRLH5030TRPBF Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IRLH5030TRPBF
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IRLH5" partes
Las siguientes partes incluyen 'IRLH5'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRLH5030TR2PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2762 |
IRLH5030TRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1151 |
IRLH5030TRPBF MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 2251 |
IRLH5030TRPBF. | IR | CIs Calientes Especializados | 4869 |
IRLH5034TR2PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 9322 |
IRLH5034TRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5205 |
IRLH5034TRPBF | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IRLH5034TRPBF MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 5385 |
IRLH5034TRPBF. | IR | CIs Calientes Especializados | 2642 |
IRLH5036TR2PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5027 |
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