IRLH5030TRPBF Especificaciones técnicas

IRLH5030TRPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2010
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
JESD-30 Code R-PDSO-N5
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9m Ω @ 50A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5185pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 94nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 41 ns
Continuous Drain Current (ID) 100A
Gate to Source Voltage (Vgs) 16V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 400A
Nominal Vgs 2.5 V
Length 6.1468mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerVDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 5
Resistance 9.9MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position DUAL
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 3.6W Ta 156W Tc
Power Dissipation 3.6W
Turn On Delay Time 21 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 150μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A Ta 100A Tc
Rise Time 72ns
Vgs (Max) ±16V
Turn-Off Delay Time 41 ns
Threshold Voltage 2.5V
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Avalanche Energy Rating (Eas) 230 mJ
Height 990.6μm
Width 5.15mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRLH5030TR2PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2762
IRLH5030TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1151
IRLH5030TRPBF MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 2251
IRLH5030TRPBF. IR CIs Calientes Especializados 4869
IRLH5034TR2PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9322
IRLH5034TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5205
IRLH5034TRPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRLH5034TRPBF MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 5385
IRLH5034TRPBF. IR CIs Calientes Especializados 2642
IRLH5036TR2PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5027

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