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IRLB4132PBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 78A TO220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5 mOhm @ 40A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5110pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 140W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 78A (Tc)
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Otros incluyen   "IRLB4"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRLB4' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRLB4030 IR CIs Calientes Especializados 1357
IRLB4030PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 471
IRLB4030PBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRLB4132 IR CIs Calientes Especializados 32363
IRLB4132 MOS IR CIs Calientes Especializados 738
IRLB4132PBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRLB4132PBF MOSFETIGBTIC International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 1478
IRLB4132PBF. IR CIs Calientes Especializados 32363

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