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IRLB4030PBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 180A TO-220AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 370W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±16V
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3 mOhm @ 110A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11360pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180A (Tc)
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Las siguientes partes incluyen  'IRLB4' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRLB4030 IR CIs Calientes Especializados 1357
IRLB4030PBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRLB4132 IR CIs Calientes Especializados 32363
IRLB4132 MOS IR CIs Calientes Especializados 738
IRLB4132PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 100362
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