IRGR3B60KD2TRRP Especificaciones técnicas

IGBT 600V 7.8A 52W DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 400V, 3A, 100 Ohm, 15V
Switching Energy 62µJ (on), 39µJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 77ns
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 13nC
Current - Collector (Ic) (Max) 7.8A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 3A
Td (on/off) @ 25°C 18ns/110ns
Supplier Device Package D-Pak
Power - Max 52W
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
IGBT Type NPT
Current - Collector Pulsed (Icm) 15.6A
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IRGR3B60KD2 IR CIs Calientes Especializados 5164
IRGR3B60KD2 IGBT IR CIs Calientes Especializados 2244
IRGR3B60KD2 MOS IR CIs Calientes Especializados 50390
IRGR3B60KD2PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 5226
IRGR3B60KD2PBF Infineon Technologies IGBTs individuales
IRGR3B60KD2TR IR CIs Calientes Especializados 2627
IRGR3B60KD2TRLP International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 1720
IRGR3B60KD2TRLP Infineon Technologies IGBTs individuales
IRGR3B60KD2TRLP Rochester Electronics, LLC IGBTs individuales
IRGR3B60KD2TRP International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 32363

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